1N4150 TR PBFREE

Central Semiconductor Corp

1N4150 TR PBFREE

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

В производствеDO-204AH, DO-35, AxialАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F2.5pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)6 ns
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 200 mA
Current - Average Rectified (Io)200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr100 nA @ 50 V
СкоростьSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseDO-204AH, DO-35, Axial
Корпус производителяDO-35

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 200°C