Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7Ohm @ 80mA, 4V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 10 V |
| Производитель | Catalyst Semiconductor Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 150mW (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SC-81 |
| Корпус производителя | SC-81 (SSFP) |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|