CBR10P65HL

Bruckewell

CBR10P65HL

Аналоговые и силовые компоненты

SIC SCHOTTKY DIODE,650V,10A,DFN8

В производстве4-PowerTSFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительBruckewell
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)30A
Current - Reverse Leakage @ Vr25 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
Корпус производителя4-DFN (8x8)

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 150°C