BSDD06G65E2

Bourns Inc

BSDD06G65E2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIC 650V 6A TO252

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F201pF @ 1V, 1MHz
ПроизводительBourns Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 6 A
Current - Average Rectified (Io)6A
Current - Reverse Leakage @ Vr30 µA @ 650 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252 (DPAK)

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C