BSDB10S65E6

Bourns Inc

BSDB10S65E6

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO263

В производствеTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F500pF @ 1V, 1MHz
ПроизводительBourns Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяTO-263

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C