Общие
| Производитель | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
BCP56-16
Аналоговые и силовые компоненты
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN S
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Power - Max | 1.6 W |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус производителя | SOT-223 |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|