ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.6A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 535 pF @ 15 V |
| Производитель | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.2W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус производителя | SOT-23 |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|