DS1230YL-100

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1230YL-100

Память и хранение данных

DS1230 3.3 VOLT, 256 K NV SRAM

В производстве28-DIP Module (0.600", 15.24mm)Память и хранение данных

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Тип памятиNon-Volatile
ТехнологияNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Время доступа100 ns
ПроизводительAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Время цикла записи100ns

Электрические

Объем памяти256Kbit
Формат памятиNVSRAM
Memory InterfaceParallel
Напряжение питания4.5V ~ 5.5V
Memory Organization32K x 8

Механические

КорпусBulk
Package / Case28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Корпус производителя28-EDIP

Среда

Рабочая температура0°C ~ 70°C (TA)