AOTF12N30

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOTF12N30

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 300V 11.5A TO220-3F

В производствеTO-220-3 Full PackАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 25 V
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность36W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Корпус производителяTO-220F

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)