AOT66916L

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOT66916L

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO220

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6180 pF @ 50 V
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
СерияAlphaSGT™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35.5A (Ta), 120A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность8.3W (Ta), 277W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3
Корпус производителяTO-220

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)