Alpha & Omega Semiconductor Inc
MOSFET 2N-CH 30V 18.5A/49A 8DFN
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | AONY363 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V, 52nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 15V, 2555pF @ 15V |
| Производитель | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc) |
| Power - Max | 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 45W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Корпус производителя | 8-DFN (5x6) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|