Alpha & Omega Semiconductor Inc
MOSFET N-CH 700V 1.1A/4.6A 8DFN
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 354 pF @ 100 V |
| Производитель | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | aMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 700 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta), 4.6A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 4.1W (Ta), 78W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | 8-DFN-EP (5x6) |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|