AONR21357

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AONR21357

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 20A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2830 pF @ 15 V
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 34A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность5W (Ta), 30W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителя8-DFN-EP (3x3)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)