Alpha & Omega Semiconductor Inc
MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 20A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6560 pF @ 10 V |
| Производитель | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26.5A (Ta), 34A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 5W (Ta), 43W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | 8-DFN-EP (3x3) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|