Alpha & Omega Semiconductor Inc
MOSFET 2N-CH 30V 24A/50A 8DFN
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 20A, 10V, 4.7mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | AONP363 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET Feature | Standard |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V, 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 15V |
| Производитель | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 50A (Tc), 20A (Ta), 50A (Tc) |
| Power - Max | 3.4W (Ta), 33W (Tc), 3.1W (Ta), 30W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Корпус производителя | 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|