Alpha & Omega Semiconductor Inc
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.6A, 10V |
|---|---|
| Базовый Part Number | AON793 |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 15V |
| Производитель | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A, 8.1A |
| Power - Max | 1.4W |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Корпус производителя | 8-DFN-EP (3x3) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|