AON6160

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON6160

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN

Устаревший8-PowerSMD, Flat LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.58mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7790 pF @ 30 V
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияAlphaSGT™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность215W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSMD, Flat Leads
Корпус производителя8-DFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)