AON5810

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AON5810

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN

Устаревший6-WFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 7.7A, 4.5V
Базовый Part NumberAON581
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1360pF @ 10V
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.7A
Power - Max1.6W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-WFDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-DFN-EP (2x5)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)