AOH3110

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOH3110

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 1A SOT223

УстаревшийTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 900mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 50 V
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.9V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3.1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223-4

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)