AOE6930

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOE6930

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 22A/85A 8DFN

В производстве8-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 20A, 10V, 0.83mOhm @ 30A, 10V
Базовый Part NumberAOE693
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V, 65nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1075pF @ 15V, 5560pF @ 15V
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAlphaMOS
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc), 85A (Tc)
Power - Max24W, 75W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-DFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)