AOB66918L

Alpha & Omega Semiconductor Inc

AOB66918L

Аналоговые и силовые компоненты

N

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 50 V
ПроизводительAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAlphaSGT™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Ta), 120A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность10W (Ta), 375W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Корпус производителяTO-263 (D2PAK)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)