Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 15 V |
| Производитель | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | Устаревший |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 105A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.9W (Ta), 176W (Tc) |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-263 (D2PAK) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|