YJQ40P03A

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

YJQ40P03A

데이터시트

아날로그 및 전원

P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 20A, 20V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2152 pF @ 15 V
제조사Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Ta)
최대 전력 손실32W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-DFN (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)