XP3N9R5AYT

Name: XP3N9R5AYT
Brand: YAGEO XSEMI

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 38.7A PMPAK

생산 중8-PowerDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 9.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1280 pF @ 15 V
제조사	YAGEO XSEMI
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	XP3N9R5A
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Ta), 38.7A (Tc)
최대 전력 손실	3.57W (Ta)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)