C3M0160120J-TR

Wolfspeed, Inc

C3M0160120J-TR

데이터시트

아날로그 및 전원

SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263

생산 중아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs208mOhm @ 8.5A, 15V
기본 품번C3M0160120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds632 pF @ 1000 V
제조사Wolfspeed, Inc.
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈C3M™
기술SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+15V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 2.33mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
최대 전력 손실90W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
공급사 디바이스 패키지TO-263-7

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)