W989D2DBJX6E

Winbond Electronics

W989D2DBJX6E

데이터시트

메모리 및 스토리지

IC DRAM 512MBIT LVCMOS 90VFBGA

생산 중90-TFBGA메모리 및 스토리지

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

메모리 유형Volatile
기술SDRAM - Mobile LPSDR
접근 시간5 ns
기본 품번W989D2
제조사Winbond Electronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
쓰기 사이클 시간15ns

전기적 특성

메모리 용량512Mbit
메모리 형식DRAM
Memory InterfaceLVCMOS
클록 주파수166 MHz
공급 전압1.7V ~ 1.95V
Memory Organization16M x 32

기계적 특성

패키지Tray
Package / Case90-TFBGA
공급사 디바이스 패키지90-VFBGA (8x13)

환경 조건

동작 온도-25°C ~ 85°C (TC)