WND10P08XQ

WeEn Semiconductors

WND10P08XQ

데이터시트

아날로그 및 전원

DIODE GEN PURP 800V 10A TO220F

생산 중TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번WND10
제조사WeEn Semiconductors
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.3 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 800 V
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
공급사 디바이스 패키지TO-220F

환경 조건

Operating Temperature - Junction150°C