BYV410-600PQ

WeEn Semiconductors

BYV410-600PQ

데이터시트

아날로그 및 전원

DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220E

생산 중TO-220-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번BYV410
Diode Configuration1 Pair Common Cathode
제조사WeEn Semiconductors
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)55 ns
기술Standard

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)20A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 600 V
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-220-3
공급사 디바이스 패키지TO-220E

환경 조건

Operating Temperature - Junction175°C