SQJQ936E-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJQ936E-T1_GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8

생산 중PowerPAK® 8 x 8 Dual아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 5A, 10V
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs113nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600pF @ 25V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Power - Max75W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® 8 x 8 Dual
공급사 디바이스 패키지PowerPAK® 8 x 8 Dual

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101