SQJB60EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

SQJB60EP-T2_GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8

생산 중PowerPAK® SO-8 Dual아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600pF @ 25V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR)
제품 상태생산 중
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Power - Max48W (Tc)

기계적 특성

Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
공급사 디바이스 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101