SQJA12EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJA12EP-T1_GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

생산 중Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3635 pF @ 25 V
제조사Vishay Siliconix
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 125°C