SQJ488EP-T2_GE3

Name: SQJ488EP-T2_GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

생산 중PowerPAK® SO-8아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 7.1A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	978 pF @ 50 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

드레인-소스 전압	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	42A (Tc)
최대 전력 손실	83W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)