SQJ461EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

SQJ461EP-T2_GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

생산 중PowerPAK® SO-8아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 14.4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4710 pF @ 30 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
최대 전력 손실83W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8
공급사 디바이스 패키지PowerPAK® SO-8

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)