SQJ146ELP-T1_GE3

Vishay Siliconix

SQJ146ELP-T1_GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8

생산 중PowerPAK® SO-8아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1780 pF @ 25 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C74A (Tc)
최대 전력 손실75W (Tc)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101