SQ2364EES-T1_GE3

Name: SQ2364EES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

생산 중TO-236-3, SC-59, SOT-23-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 2A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 25 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
포장	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태	생산 중
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

드레인-소스 전압	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
최대 전력 손실	3W (Tc)