SIZF916DT-T1-GE3

Name: SIZF916DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 23A 8PWRPAIR

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
기본 품번	SIZF916
구성	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V, 95nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET® Gen IV
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

드레인-소스 전압	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 40A (Tc)
Power - Max	3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)