SIZ920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ920DT-T1-GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR

구형8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.1mOhm @ 18.9A, 10V
기본 품번SIZ920
구성2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1260pF @ 15V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태구형
시리즈TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A
Power - Max39W, 100W

기계적 특성

Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-PowerPair® (6x5)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)