SIZ320DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIZ320DT-T1-GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33

단종8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
기본 품번SIZ320
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태Last Time Buy
시리즈PowerPAIR®, TrenchFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc), 40A (Tc)
Power - Max16.7W, 31W

기계적 특성

Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-Power33 (3x3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)