SIUD401ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIUD401ED-T1-GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806

생산 중PowerPAK® 0806아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.573Ohm @ 200mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds33 pF @ 15 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈TrenchFET® Gen III
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500mA (Ta)
최대 전력 손실1.25W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 0806
공급사 디바이스 패키지PowerPAK® 0806

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)