SISF04DN-T1-GE3

Name: SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 30A PPAK 1212-8

생산 중PowerPAK® 1212-8SCD아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4mOhm @ 7A, 10V
기본 품번	SISF04
구성	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 15V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
포장	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태	생산 중
시리즈	TrenchFET® Gen IV
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA

드레인-소스 전압	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta), 108A (Tc)
Power - Max	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

Package / Case	PowerPAK® 1212-8SCD
공급사 디바이스 패키지	PowerPAK® 1212-8SCD

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)