SISA72ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

SISA72ADN-T1-GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK

생산 중PowerPAK® 1212-8아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.25mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2530 pF @ 20 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈TrenchFET® Gen IV
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25.4A (Ta), 94A (Tc)
최대 전력 손실3.7W (Ta), 52W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
공급사 디바이스 패키지PowerPAK® 1212-8

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)