SIS407ADN-T1-GE3

Name: SIS407ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

생산 중PowerPAK® 1212-8아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 15A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5875 pF @ 10 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

드레인-소스 전압	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
최대 전력 손실	3.7W (Ta), 39.1W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)