SIS176LDN-T1-GE3

Name: SIS176LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE

생산 중PowerPAK® 1212-8아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.9mOhm @ 10A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1660 pF @ 35 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET® Gen IV
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA

드레인-소스 전압	70 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3.3V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.9A (Ta), 42.3A (Tc)
최대 전력 손실	3.6W (Ta), 39W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)