SIR681DP-T1-RE3

Name: SIR681DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK

생산 중PowerPAK® SO-8아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.2mOhm @ 10A, 10V
기본 품번	SIR681
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4850 pF @ 40 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET® Gen IV
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA

드레인-소스 전압	80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
최대 전력 손실	6.25W (Ta), 104W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)