SIJH800E-T1-GE3

Name: SIJH800E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

생산 중PowerPAK® 8 x 8아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.55mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10230 pF @ 40 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET® Gen IV
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

드레인-소스 전압	80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Ta), 299A (Tc)
최대 전력 손실	3.3W (Ta), 333W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)