SIJH440E-T1-GE3

Name: SIJH440E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

생산 중PowerPAK® 8 x 8아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.96mOhm @ 20A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	195 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	20330 pF @ 20 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET® Gen IV
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA

드레인-소스 전압	40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200A (Tc)
최대 전력 손실	158W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)