SIJA22DP-T1-GE3

Name: SIJA22DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 25V 64A/201A PPAK

생산 중PowerPAK® SO-8아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.74mOhm @ 20A, 10V
기본 품번	SIJA22
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6500 pF @ 15 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

드레인-소스 전압	25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	64A (Ta), 201A (Tc)
최대 전력 손실	4.8W (Ta), 48W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)