SIHH180N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIHH180N60E-T1-GE3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 9.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1085 pF @ 100 V
제조사Vishay Siliconix
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈E
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Tc)
최대 전력 손실114W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지PowerPAK® 8 x 8

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)