SIHH070N60EF-T1GE3

Name: SIHH070N60EF-T1GE3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	71mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2647 pF @ 100 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	EF
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

드레인-소스 전압	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Tc)
최대 전력 손실	202W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)