SIE844DF-T1-E3

Name: SIE844DF-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK

구형10-PolarPAK® (U)아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 12.1A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2150 pF @ 15 V
제조사	Vishay Siliconix
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
시리즈	TrenchFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	44.5A (Tc)
최대 전력 손실	5.2W (Ta), 25W (Tc)

동작 온도	-55°C~150°C(TJ)